창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3600 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3600 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 200mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3600 | |
| 관련 링크 | 1N3, 1N3600 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1886T1H200JD01D | 20pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H200JD01D.pdf | |
![]() | RMCF1206JT6R20 | RES SMD 6.2 OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT6R20.pdf | |
![]() | RNF14BAE2K32 | RES 2.32K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE2K32.pdf | |
![]() | SMBZ14666T3 | SMBZ14666T3 MOT SMD or Through Hole | SMBZ14666T3.pdf | |
![]() | 6908V | 6908V ORIGINAL SOP4 | 6908V.pdf | |
![]() | MX29LV800BT-70G | MX29LV800BT-70G MX TSSOP | MX29LV800BT-70G.pdf | |
![]() | YL-50330L | YL-50330L ORIGINAL SMD or Through Hole | YL-50330L.pdf | |
![]() | 641337-1 | 641337-1 AMP/TYCO AMP | 641337-1.pdf | |
![]() | GD82562EZ/IBM:26P1233 | GD82562EZ/IBM:26P1233 INTEL SMD | GD82562EZ/IBM:26P1233.pdf | |
![]() | UPD6124AGS-B37 | UPD6124AGS-B37 NEC SOP-20 | UPD6124AGS-B37.pdf | |
![]() | 49E21830AA | 49E21830AA ORIGINAL SMD or Through Hole | 49E21830AA.pdf | |
![]() | K4F640412DJC50 | K4F640412DJC50 SAM SOJ | K4F640412DJC50.pdf |