창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3528A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3528A | |
| 관련 링크 | 1N35, 1N3528A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 9B04000157 | 4MHz ±30ppm 수정 30pF -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | 9B04000157.pdf | |
![]() | H08-3-R150 | H08-3-R150 BECKMAN SMD or Through Hole | H08-3-R150.pdf | |
![]() | 6210000000000 | 6210000000000 ELO SMD or Through Hole | 6210000000000.pdf | |
![]() | 1206N103F500NT | 1206N103F500NT NOVACAP 3216-103F | 1206N103F500NT.pdf | |
![]() | LM2576R/T-XX | LM2576R/T-XX ORIGINAL TO-263 | LM2576R/T-XX.pdf | |
![]() | 54F541DMQB | 54F541DMQB NS CDIP | 54F541DMQB.pdf | |
![]() | MAX536AJQ | MAX536AJQ MAXIM DIP | MAX536AJQ.pdf | |
![]() | LTC3429ES6#TRMPBF | LTC3429ES6#TRMPBF LT SOT23-6 | LTC3429ES6#TRMPBF.pdf | |
![]() | 215R6VALA11G(ES1000) | 215R6VALA11G(ES1000) ATI BGA | 215R6VALA11G(ES1000).pdf | |
![]() | BD82QS57 SLGZV | BD82QS57 SLGZV INTEL BGA | BD82QS57 SLGZV.pdf | |
![]() | LTC1245CN | LTC1245CN LT DIP28 | LTC1245CN.pdf | |
![]() | K632 | K632 Panasonic TO-3P | K632.pdf |