창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3519A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3519A | |
관련 링크 | 1N35, 1N3519A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1808CA561JBT9A | 560pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CA561JBT9A.pdf | |
![]() | B37982N5223M000 | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37982N5223M000.pdf | |
![]() | FA-128 25.0000MD30Z-K0 | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 25.0000MD30Z-K0.pdf | |
![]() | LT6654AHS6-1.25#TR | LT6654AHS6-1.25#TR LT TSOT23 | LT6654AHS6-1.25#TR.pdf | |
![]() | HSD070IDW2-A10 | HSD070IDW2-A10 ORIGINAL SMD or Through Hole | HSD070IDW2-A10.pdf | |
![]() | SST39LF010-45-4C-NHE | SST39LF010-45-4C-NHE SST PLCC | SST39LF010-45-4C-NHE.pdf | |
![]() | SLF10165T-3R3N5R833-PF | SLF10165T-3R3N5R833-PF TDK 0.5K | SLF10165T-3R3N5R833-PF.pdf | |
![]() | DS1708ESA+ | DS1708ESA+ Dallas SMD or Through Hole | DS1708ESA+.pdf | |
![]() | CT3016F6G | CT3016F6G ORIGINAL SMD or Through Hole | CT3016F6G.pdf | |
![]() | HZ162TAE | HZ162TAE RENESAS SMD or Through Hole | HZ162TAE.pdf | |
![]() | XC4VS35-10FF668C | XC4VS35-10FF668C XILI BGA | XC4VS35-10FF668C.pdf |