창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3518A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3518A | |
| 관련 링크 | 1N35, 1N3518A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | V660LA80CPX10 | VARISTOR 1080V 10KA DISC 20MM | V660LA80CPX10.pdf | |
![]() | ATS245 | 24.576MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS245.pdf | |
![]() | CRGH2010F60R4 | RES SMD 60.4 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F60R4.pdf | |
| RSMF12JT750R | RES MO 1/2W 750OHM 5% AXL | RSMF12JT750R.pdf | ||
![]() | 1.229MHZ | 1.229MHZ XSIS DIP14 | 1.229MHZ.pdf | |
![]() | TPS40090RHDTG4 | TPS40090RHDTG4 TI/BB QFN28 | TPS40090RHDTG4.pdf | |
![]() | MC1407BDG | MC1407BDG ON SMD or Through Hole | MC1407BDG.pdf | |
![]() | 1210B473K251NT | 1210B473K251NT ORIGINAL SMD | 1210B473K251NT.pdf | |
![]() | AM29DL800BB-120 | AM29DL800BB-120 ORIGINAL TSOP | AM29DL800BB-120.pdf | |
![]() | CY8C2143412LKXI | CY8C2143412LKXI CYPRESS QFN32 | CY8C2143412LKXI.pdf | |
![]() | MUR420S | MUR420S ONSEMI SUR-3AMP-70M | MUR420S.pdf | |
![]() | MIN2SMDC150-RA-2 | MIN2SMDC150-RA-2 RAYCHEM SMD | MIN2SMDC150-RA-2.pdf |