창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3511A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3511A | |
| 관련 링크 | 1N35, 1N3511A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3809AI-G-33NX | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA | SIT3809AI-G-33NX.pdf | |
![]() | E3Z-D82-G2THW-CN | SENSOR PHOTOELECTRIC 1M M8 | E3Z-D82-G2THW-CN.pdf | |
![]() | KIC9356P | KIC9356P KIC DIP | KIC9356P.pdf | |
![]() | 1206-1800R | 1206-1800R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206-1800R.pdf | |
![]() | GMBO1 | GMBO1 Taychipst DO-34 | GMBO1.pdf | |
![]() | 58777-0011 | 58777-0011 MOLEX SMD or Through Hole | 58777-0011.pdf | |
![]() | 54518-0602 | 54518-0602 MOLEX SMD or Through Hole | 54518-0602.pdf | |
![]() | 2N5231 | 2N5231 MOT CAN | 2N5231.pdf | |
![]() | MWIC930 | MWIC930 FReescale SMD or Through Hole | MWIC930.pdf | |
![]() | 3440-6002JL | 3440-6002JL M SMD or Through Hole | 3440-6002JL.pdf | |
![]() | MF04-1214QRTGQBC | MF04-1214QRTGQBC HI-LIGHT PB-FREE | MF04-1214QRTGQBC.pdf | |
![]() | CL31B274KACNNNC | CL31B274KACNNNC SAMSUNG SMD | CL31B274KACNNNC.pdf |