창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3509A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 18옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3509A | |
| 관련 링크 | 1N35, 1N3509A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1210A750JBGAT4X | 75pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A750JBGAT4X.pdf | |
![]() | VJ0805D471KXAAJ | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D471KXAAJ.pdf | |
![]() | ISC1210BNR10K | 100nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 500 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BNR10K.pdf | |
![]() | TE200B270RJ | RES CHAS MNT 270 OHM 5% 200W | TE200B270RJ.pdf | |
![]() | 1469921-1 | 1469921-1 TYCO SMD or Through Hole | 1469921-1.pdf | |
![]() | S0603W332K1HRN | S0603W332K1HRN WALSIN MLCC-06033300pF50V | S0603W332K1HRN.pdf | |
![]() | MC100LEVL91DWR2 | MC100LEVL91DWR2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC100LEVL91DWR2.pdf | |
![]() | HC65-1R5MT | HC65-1R5MT Fenghua SMD | HC65-1R5MT.pdf | |
![]() | MAX460MGC | MAX460MGC MAX CAN12 | MAX460MGC.pdf | |
![]() | UPR1V222MHH | UPR1V222MHH NICHICON SMD or Through Hole | UPR1V222MHH.pdf | |
![]() | F28F800B3T90 | F28F800B3T90 INTEL SOP | F28F800B3T90.pdf | |
![]() | LLU2D152MHLC | LLU2D152MHLC NICHICON ORIGINAL | LLU2D152MHLC.pdf |