창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3477 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3477 | |
| 관련 링크 | 1N3, 1N3477 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RC14JB3M30 | RES 3.3M OHM 1/4W 5% AXIAL | RC14JB3M30.pdf | |
![]() | MPC860DTCZQ50D4 | MPC860DTCZQ50D4 f SMD or Through Hole | MPC860DTCZQ50D4.pdf | |
![]() | PC4SF11YVZBF | PC4SF11YVZBF SHARP DIP | PC4SF11YVZBF.pdf | |
![]() | MB89P935CP-G-SH-JNE1 | MB89P935CP-G-SH-JNE1 FUJISTU N A | MB89P935CP-G-SH-JNE1.pdf | |
![]() | MMO74-12I06 | MMO74-12I06 IXYS SMD or Through Hole | MMO74-12I06.pdf | |
![]() | DF9-17P-1V | DF9-17P-1V HRS SMD | DF9-17P-1V.pdf | |
![]() | LCMXO640C-4MN132C | LCMXO640C-4MN132C LATTICE ORIGINAL | LCMXO640C-4MN132C.pdf | |
![]() | 191640017 | 191640017 MLX SMD or Through Hole | 191640017.pdf | |
![]() | CXA3314 | CXA3314 SONY SMD or Through Hole | CXA3314.pdf | |
![]() | UPD6122G001 | UPD6122G001 NEC SOP24 | UPD6122G001.pdf | |
![]() | EPM7032TC44-7/-10 | EPM7032TC44-7/-10 NO QFP | EPM7032TC44-7/-10.pdf | |
![]() | PVM-10V470ME60-R2 | PVM-10V470ME60-R2 ELNA SMD | PVM-10V470ME60-R2.pdf |