창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3477 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.2V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3477 | |
관련 링크 | 1N3, 1N3477 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | D2TO020C68R00FTE3 | RES SMD 68 OHM 1% 20W TO263 | D2TO020C68R00FTE3.pdf | |
![]() | UT1028L-B | UT1028L-B UTC/ TO-92TB | UT1028L-B.pdf | |
![]() | 83C266BDR-106 | 83C266BDR-106 PHI DIP | 83C266BDR-106.pdf | |
![]() | TL3311DBCR | TL3311DBCR TI sot23-5 | TL3311DBCR.pdf | |
![]() | LXF35VB122M16X25F | LXF35VB122M16X25F UCC SMD or Through Hole | LXF35VB122M16X25F.pdf | |
![]() | LXC25-1050SW | LXC25-1050SW Excelsys SMD or Through Hole | LXC25-1050SW.pdf | |
![]() | UPB321611T-800Y-N | UPB321611T-800Y-N YAGEO SMD | UPB321611T-800Y-N.pdf | |
![]() | 34410A | 34410A Agilent SMD or Through Hole | 34410A.pdf | |
![]() | XR3182021 | XR3182021 EXAR SMD or Through Hole | XR3182021.pdf | |
![]() | 74LVQ86SJ | 74LVQ86SJ FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74LVQ86SJ.pdf | |
![]() | CXV7040 | CXV7040 SONY SMD or Through Hole | CXV7040.pdf | |
![]() | GE28F160C3DB70 | GE28F160C3DB70 INTEL QFP BGA | GE28F160C3DB70.pdf |