창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3350B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3350B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3350B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DS1-175-0001 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 500mA DCR 700 mOhm | DS1-175-0001.pdf | |
![]() | RT1210DRD0766K5L | RES SMD 66.5K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0766K5L.pdf | |
![]() | RG2012V-822-D-T5 | RES SMD 8.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-822-D-T5.pdf | |
![]() | GDC580-074-001 | GDC580-074-001 ORIGINAL DIP | GDC580-074-001.pdf | |
![]() | BAV20WS | BAV20WS TC SMD or Through Hole | BAV20WS.pdf | |
![]() | ads1110a0idbvtg | ads1110a0idbvtg texasinstruments SMD or Through Hole | ads1110a0idbvtg.pdf | |
![]() | MAX803REXR+T | MAX803REXR+T MAXIM SC70-3 | MAX803REXR+T.pdf | |
![]() | ZMY43-07 | ZMY43-07 ST LL41 | ZMY43-07.pdf | |
![]() | ED03.P2A | ED03.P2A ST SOP-20 | ED03.P2A.pdf | |
![]() | VTI-01 | VTI-01 SAMSUNG SIP15 | VTI-01.pdf | |
![]() | 74VHC123AF | 74VHC123AF TOS SOP-5.2 | 74VHC123AF.pdf | |
![]() | 552D477X06R3V2T035 | 552D477X06R3V2T035 VISHAY SMD | 552D477X06R3V2T035.pdf |