창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3347B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 121.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3347B | |
관련 링크 | 1N33, 1N3347B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT3921AI-2CF-33NB200.000000T | OSC XO 3.3V 200MHZ | SIT3921AI-2CF-33NB200.000000T.pdf | |
![]() | RR02JR82TB | RES 0.82 OHM 2W 5% AXIAL | RR02JR82TB.pdf | |
![]() | AD5206BN100 | AD5206BN100 ADI 24PDIP | AD5206BN100.pdf | |
![]() | 3300UF63V22 | 3300UF63V22 GSKN SMD or Through Hole | 3300UF63V22.pdf | |
![]() | 87977-8 | 87977-8 TYCO SMD or Through Hole | 87977-8.pdf | |
![]() | BZX384C33 | BZX384C33 VISHAY SOD323 | BZX384C33.pdf | |
![]() | HD74HC309 | HD74HC309 ORIGINAL DIP | HD74HC309.pdf | |
![]() | cat502e | cat502e div SMD or Through Hole | cat502e.pdf | |
![]() | EK4-A90XFV | EK4-A90XFV EPCOS 13.6 8.3 | EK4-A90XFV.pdf | |
![]() | MAX213ECD | MAX213ECD MAXIM SMD or Through Hole | MAX213ECD.pdf | |
![]() | ES3G-N | ES3G-N KTG NSMC | ES3G-N.pdf | |
![]() | 215NSA4ALA12FG 1150 | 215NSA4ALA12FG 1150 nviDIA BGA | 215NSA4ALA12FG 1150.pdf |