창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3342B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 83V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3342B | |
관련 링크 | 1N33, 1N3342B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AIAC3842 | AIAC3842 ORIGINAL DIP | AIAC3842.pdf | |
![]() | BYT52MTAP50 | BYT52MTAP50 ORIGINAL ORIGINAL | BYT52MTAP50.pdf | |
![]() | V602ME06-LF | V602ME06-LF ZCOMM SMD or Through Hole | V602ME06-LF.pdf | |
![]() | LT6222IGN | LT6222IGN LT SSOP16 | LT6222IGN.pdf | |
![]() | K4M641633H-BN75 | K4M641633H-BN75 SAMSUNG FBGA | K4M641633H-BN75.pdf | |
![]() | 2-160256-1 | 2-160256-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2-160256-1.pdf | |
![]() | 2B56A | 2B56A AD SMD or Through Hole | 2B56A.pdf | |
![]() | S4N48 | S4N48 MICROPAC SMD | S4N48.pdf | |
![]() | UPC2905AT-E1-AX | UPC2905AT-E1-AX NEC SMD or Through Hole | UPC2905AT-E1-AX.pdf | |
![]() | CXP84632-128Q | CXP84632-128Q SONY QFP | CXP84632-128Q.pdf | |
![]() | TS391CG-AF5-R | TS391CG-AF5-R UTC SOT23-5 | TS391CG-AF5-R.pdf |