창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3341RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 105V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 83V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3341RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3341RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CLF6045T-6R8N-H | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 27 mOhm Nonstandard | CLF6045T-6R8N-H.pdf | |
![]() | HRG3216P-1870-B-T5 | RES SMD 187 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1870-B-T5.pdf | |
![]() | EL1504CMBEU | EL1504CMBEU EL SOP | EL1504CMBEU.pdf | |
![]() | CF06V3T1R25 | CF06V3T1R25 ORIGINAL SMD | CF06V3T1R25.pdf | |
![]() | PO354T | PO354T ORIGINAL SMD or Through Hole | PO354T.pdf | |
![]() | RLS71 | RLS71 ROHM LL34 | RLS71.pdf | |
![]() | 1812-684Z | 1812-684Z SAMSUNG SMD | 1812-684Z.pdf | |
![]() | NPTC042KFMS-RC | NPTC042KFMS-RC Sullins SMD or Through Hole | NPTC042KFMS-RC.pdf | |
![]() | TNPW08054991BT | TNPW08054991BT VISHAY SMD or Through Hole | TNPW08054991BT.pdf | |
![]() | TA0307A | TA0307A TST SMD | TA0307A.pdf | |
![]() | MC1413BP/DR | MC1413BP/DR ON DIP-16 | MC1413BP/DR.pdf | |
![]() | CB0275H02 | CB0275H02 ORIGINAL SMD or Through Hole | CB0275H02.pdf |