창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3339A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 69.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3339A | |
관련 링크 | 1N33, 1N3339A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 5KP8.0A | TVS DIODE 8VWM 13.6VC AXIAL | 5KP8.0A.pdf | |
![]() | P6SMB180AT3G | TVS DIODE 154VWM 246VC SMB | P6SMB180AT3G.pdf | |
![]() | 416F52012IDT | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012IDT.pdf | |
![]() | CP001010K00KE663 | RES 10K OHM 10W 10% AXIAL | CP001010K00KE663.pdf | |
![]() | LCN0805T-56NK-S | LCN0805T-56NK-S ORIGINAL NA | LCN0805T-56NK-S.pdf | |
![]() | SPIL/E3056008 | SPIL/E3056008 ORIGINAL BGA | SPIL/E3056008.pdf | |
![]() | V23100V4005-A000 | V23100V4005-A000 AXICOM DIP-8 | V23100V4005-A000.pdf | |
![]() | APTGT30H170T3 | APTGT30H170T3 APT N | APTGT30H170T3.pdf | |
![]() | SDT-S-109LMR2-000 | SDT-S-109LMR2-000 OEG SMD or Through Hole | SDT-S-109LMR2-000.pdf | |
![]() | UAF3B3-20-15.360 | UAF3B3-20-15.360 ORIGINAL SMD or Through Hole | UAF3B3-20-15.360.pdf | |
![]() | IDT2308A-4DC8 | IDT2308A-4DC8 IDT SMD or Through Hole | IDT2308A-4DC8.pdf |