창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3331B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 50V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3331B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3331B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C1608X8R1H682M080AE | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X8R1H682M080AE.pdf | |
![]() | TNPW12069K53BEEA | RES SMD 9.53K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12069K53BEEA.pdf | |
![]() | 7640204-0100 | 7640204-0100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7640204-0100.pdf | |
![]() | VJ9268A102MXBMT1G | VJ9268A102MXBMT1G VISHAY SMD | VJ9268A102MXBMT1G.pdf | |
![]() | Y2264A. | Y2264A. TI TSSOP14 | Y2264A..pdf | |
![]() | IR2110S (SO-16) | IR2110S (SO-16) IR SMD or Through Hole | IR2110S (SO-16).pdf | |
![]() | ISPA60G | ISPA60G Isocom DIPSOP | ISPA60G.pdf | |
![]() | JX-518 | JX-518 JX DIP12 | JX-518.pdf | |
![]() | ZJY51R5-8PA-F | ZJY51R5-8PA-F TDK DIP | ZJY51R5-8PA-F.pdf | |
![]() | ZV42 | ZV42 ORIGINAL BGA | ZV42.pdf | |
![]() | MA19P0900R3B150M6402-903 | MA19P0900R3B150M6402-903 MURATA SMD | MA19P0900R3B150M6402-903.pdf | |
![]() | CS3216X5R476K6R3NR | CS3216X5R476K6R3NR SAMWHA SMD | CS3216X5R476K6R3NR.pdf |