창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N332RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B(RB)/1N4549-56B(RB) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N332RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N332RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC51A-E3/57T | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB | 1.5SMC51A-E3/57T.pdf | |
![]() | TCET1112 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | TCET1112.pdf | |
![]() | CRGH0603J2M2 | RES SMD 2.2M OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J2M2.pdf | |
![]() | Y40211K00000Q6W | RES SMD 1K OHM 0.02% 1/10W 0603 | Y40211K00000Q6W.pdf | |
![]() | XC6222B181MR-G | XC6222B181MR-G TOREX SMD or Through Hole | XC6222B181MR-G.pdf | |
![]() | K4T511630I-HCE6 | K4T511630I-HCE6 SAMSUNG BGA-84D | K4T511630I-HCE6.pdf | |
![]() | RVH-10V471MH10U-R | RVH-10V471MH10U-R ELNA SMD or Through Hole | RVH-10V471MH10U-R.pdf | |
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![]() | UP025F103Z-A-BZ | UP025F103Z-A-BZ Taiyo SMD or Through Hole | UP025F103Z-A-BZ.pdf | |
![]() | SG1C474M05011NA180 | SG1C474M05011NA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | SG1C474M05011NA180.pdf | |
![]() | ERJ3RBD4701V | ERJ3RBD4701V PAS SMD or Through Hole | ERJ3RBD4701V.pdf | |
![]() | UPD75104CW-216 | UPD75104CW-216 ORIGINAL DIP-64 | UPD75104CW-216.pdf |