창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3326B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 27.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3326B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3326B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMDA03C-5E3/TR13 | TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC | SMDA03C-5E3/TR13.pdf | |
![]() | 41B143A05E4L | 41B143A05E4L CSR BGA | 41B143A05E4L.pdf | |
![]() | B025BK | B025BK Gainta SMD or Through Hole | B025BK.pdf | |
![]() | LA70P | LA70P IDT DIP-48 | LA70P.pdf | |
![]() | PMB4561 | PMB4561 INFINEON QFN | PMB4561.pdf | |
![]() | MG50Q6ES50(S50A) | MG50Q6ES50(S50A) TOSHIBA IGBT | MG50Q6ES50(S50A).pdf | |
![]() | M30302FCPGP#U3 | M30302FCPGP#U3 RENESAS LQFP | M30302FCPGP#U3.pdf | |
![]() | M520150BM | M520150BM MIC SOP8 | M520150BM.pdf | |
![]() | MT45W512KW16PGA-70 IT | MT45W512KW16PGA-70 IT MICRON VFBGA | MT45W512KW16PGA-70 IT.pdf | |
![]() | GSC9435M/SOP8 | GSC9435M/SOP8 GTM SOP8 | GSC9435M/SOP8.pdf | |
![]() | NX2016AB-26MHZ SB2 | NX2016AB-26MHZ SB2 NDK SMD | NX2016AB-26MHZ SB2.pdf |