창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3321RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3321RB | |
관련 링크 | 1N33, 1N3321RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
185105K63RGB-F | 1µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | 185105K63RGB-F.pdf | ||
416F38423CDR | 38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423CDR.pdf | ||
PWR2615WR010F | RES SMD 0.01 OHM 1% 1W 2615 | PWR2615WR010F.pdf | ||
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XC3S50 VQ100 | XC3S50 VQ100 ORIGINAL BGA | XC3S50 VQ100.pdf | ||
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RD28F1604C3DB70 | RD28F1604C3DB70 INTEL SMD or Through Hole | RD28F1604C3DB70.pdf | ||
16L2550 | 16L2550 XR QFN | 16L2550.pdf | ||
IP-251-CV | IP-251-CV IP SMD or Through Hole | IP-251-CV.pdf |