창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3318B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3318B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3318B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMA5J5.0A-M3/5A | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO-214AC | SMA5J5.0A-M3/5A.pdf | |
![]() | ELJ-FB2R2KF | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 610 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ELJ-FB2R2KF.pdf | |
![]() | RMCF1210FT825R | RES SMD 825 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FT825R.pdf | |
![]() | XADRP-32V | XADRP-32V JST SMD or Through Hole | XADRP-32V.pdf | |
![]() | MBCG61774-507-RB-ES | MBCG61774-507-RB-ES FUJITSU BGA | MBCG61774-507-RB-ES.pdf | |
![]() | GS8662D36E-250 | GS8662D36E-250 GSITechnologyInc NA | GS8662D36E-250.pdf | |
![]() | B04BDVS | B04BDVS JST SMD or Through Hole | B04BDVS.pdf | |
![]() | HJW4J105T50 | HJW4J105T50 ROHM SMD or Through Hole | HJW4J105T50.pdf | |
![]() | STTA1206G-TR | STTA1206G-TR ST TO-263 | STTA1206G-TR.pdf | |
![]() | LB-30W-12V | LB-30W-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | LB-30W-12V.pdf | |
![]() | 66XR2KLF | 66XR2KLF BI DIP | 66XR2KLF.pdf |