창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3317B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3317B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3317B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RC1206JR-0713KL | RES SMD 13K OHM 5% 1/4W 1206 | RC1206JR-0713KL.pdf | |
![]() | RSF3JT27R0 | RES MO 3W 27 OHM 5% AXIAL | RSF3JT27R0.pdf | |
![]() | M51953AFP-DF1J | M51953AFP-DF1J RENESAS SOP8 | M51953AFP-DF1J.pdf | |
![]() | SDA5550M-QB-TBD0 | SDA5550M-QB-TBD0 MICRONAS QFP100 | SDA5550M-QB-TBD0.pdf | |
![]() | RFT3100-2 | RFT3100-2 QUALCOMM BGA | RFT3100-2.pdf | |
![]() | CXA1907S | CXA1907S SONY DIP | CXA1907S.pdf | |
![]() | BA1379BBT07 | BA1379BBT07 spItfine QFP | BA1379BBT07.pdf | |
![]() | W25Q80BV | W25Q80BV ORIGINAL SOP8 | W25Q80BV.pdf | |
![]() | G2-1B01-SR | G2-1B01-SR CRYDOM DIPSOP | G2-1B01-SR.pdf | |
![]() | HA1-2405B2812 | HA1-2405B2812 HAR SMD or Through Hole | HA1-2405B2812.pdf | |
![]() | 74LVC1G57GW,125 | 74LVC1G57GW,125 PHI SMD or Through Hole | 74LVC1G57GW,125.pdf | |
![]() | AM29F002NT-70PI | AM29F002NT-70PI AMD DIP32 | AM29F002NT-70PI.pdf |