창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3315A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3315A | |
관련 링크 | 1N33, 1N3315A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W35C13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35C13M00000.pdf | |
![]() | 1N4148SE/D4 | 1N4148SE/D4 H SOT23 | 1N4148SE/D4.pdf | |
![]() | 105D15D | 105D15D RALEC RCT031303DTP | 105D15D.pdf | |
![]() | L293B(e3)(P/B) | L293B(e3)(P/B) ST DIP-16 | L293B(e3)(P/B).pdf | |
![]() | AZ431LBN-TR | AZ431LBN-TR AZ SOT | AZ431LBN-TR.pdf | |
![]() | 2SK1189 | 2SK1189 ORIGINAL TO-220F | 2SK1189.pdf | |
![]() | B43231B1687M000 | B43231B1687M000 EPCOS DIP | B43231B1687M000.pdf | |
![]() | 9148AF-32LFT | 9148AF-32LFT ICS SSOP-48 | 9148AF-32LFT.pdf | |
![]() | VHK50W-Q24-S5 | VHK50W-Q24-S5 CUI Onlyoriginal | VHK50W-Q24-S5.pdf | |
![]() | EE87C42 | EE87C42 Intel SMD or Through Hole | EE87C42.pdf | |
![]() | PS2D11-2R7NT | PS2D11-2R7NT ORIGINAL SMD | PS2D11-2R7NT.pdf | |
![]() | MAX3580ETJG+ | MAX3580ETJG+ MAXIM TQFN | MAX3580ETJG+.pdf |