창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3313B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 14V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 11.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3313B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3313B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | PXAC243502FVV1R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | PXAC243502FVV1R250XTMA1.pdf | |
![]() | S1210-223F | 22µH Shielded Inductor 232mA 3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-223F.pdf | |
![]() | CRCW08052K21FKEA | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052K21FKEA.pdf | |
![]() | 145602032000829H+ | 145602032000829H+ kyocer SMD | 145602032000829H+.pdf | |
![]() | AT91ECO920-902-0104 | AT91ECO920-902-0104 DIVERS SMD or Through Hole | AT91ECO920-902-0104.pdf | |
![]() | MC9S08GT16ACFBER | MC9S08GT16ACFBER FREESCALE SMD or Through Hole | MC9S08GT16ACFBER.pdf | |
![]() | HSC12-3.4 | HSC12-3.4 LAMBDA SMD or Through Hole | HSC12-3.4.pdf | |
![]() | IPP070N60L G | IPP070N60L G Infineon TO-220 | IPP070N60L G.pdf | |
![]() | 450V50U | 450V50U ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V50U.pdf | |
![]() | PEB2426V1.1 | PEB2426V1.1 SIEMENS QFP | PEB2426V1.1.pdf | |
![]() | 5962-8961405QXA | 5962-8961405QXA TI DIP | 5962-8961405QXA.pdf | |
![]() | 216-0769000 | 216-0769000 ATI BGA | 216-0769000.pdf |