창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3312RA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3312RA | |
관련 링크 | 1N33, 1N3312RA 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F50013AAT | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013AAT.pdf | |
![]() | LT3467ES6(LTACH) | LT3467ES6(LTACH) LT SOT23-6 | LT3467ES6(LTACH).pdf | |
![]() | MC74HC164ADTG | MC74HC164ADTG ON TSS0P | MC74HC164ADTG.pdf | |
![]() | PQ1X271M2ZPH | PQ1X271M2ZPH SHARP SMD or Through Hole | PQ1X271M2ZPH.pdf | |
![]() | 1206103K 630V | 1206103K 630V SMD SMD | 1206103K 630V.pdf | |
![]() | SLG8LP544V | SLG8LP544V SILEGO QFN | SLG8LP544V.pdf | |
![]() | M30620MCN-051GP | M30620MCN-051GP MIT SMD or Through Hole | M30620MCN-051GP.pdf | |
![]() | HD74LV1GW57ACM | HD74LV1GW57ACM RENESAS SMD or Through Hole | HD74LV1GW57ACM.pdf | |
![]() | SKF-1C474MRP | SKF-1C474MRP ELNA SMD or Through Hole | SKF-1C474MRP.pdf | |
![]() | RE3-50VR47M | RE3-50VR47M ELNA DIP | RE3-50VR47M.pdf | |
![]() | TEMSVD1E106M8R | TEMSVD1E106M8R NEC SMD | TEMSVD1E106M8R.pdf |