창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3310RA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3310RA | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3310RA 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | USB50803C-A/TR7 | TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC | USB50803C-A/TR7.pdf | |
| BZW03D130-TR | DIODE ZENER 130V 1.85W SOD64 | BZW03D130-TR.pdf | ||
![]() | 1945R-19J | 82µH Unshielded Molded Inductor 235mA 5.07 Ohm Axial | 1945R-19J.pdf | |
![]() | S42S65165G5 | S42S65165G5 N/A NA | S42S65165G5.pdf | |
![]() | CT60AN-18F | CT60AN-18F ORIGINAL SMD or Through Hole | CT60AN-18F.pdf | |
![]() | T498B335K016ZTE3K0ZV10 | T498B335K016ZTE3K0ZV10 KEMET Cap. | T498B335K016ZTE3K0ZV10.pdf | |
![]() | M1AFS600-1PQ208 | M1AFS600-1PQ208 ACTEL SMD or Through Hole | M1AFS600-1PQ208.pdf | |
![]() | SDR4532015-4R7M | SDR4532015-4R7M ORIGINAL SMD or Through Hole | SDR4532015-4R7M.pdf | |
![]() | 199D335X9010AA1 | 199D335X9010AA1 VISHAY DIP | 199D335X9010AA1.pdf | |
![]() | 3691200000 | 3691200000 WICKMANN SMD or Through Hole | 3691200000.pdf | |
![]() | 1-786487-9 | 1-786487-9 ALTERA SMD or Through Hole | 1-786487-9.pdf | |
![]() | GT215-101-A2 | GT215-101-A2 NVIDIA BGA | GT215-101-A2.pdf |