창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3309RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3309RB | |
관련 링크 | 1N33, 1N3309RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GJM0335C1E200JB01D | 20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E200JB01D.pdf | |
![]() | RT1210BRD07430KL | RES SMD 430K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07430KL.pdf | |
![]() | CP0007150R0JE663 | RES 150 OHM 7W 5% AXIAL | CP0007150R0JE663.pdf | |
![]() | SY100S811ZH | SY100S811ZH MICREL SOP | SY100S811ZH.pdf | |
![]() | 21190256AAEE | 21190256AAEE TI PGA | 21190256AAEE.pdf | |
![]() | LF-H45P-1 | LF-H45P-1 LANKOM SMD | LF-H45P-1.pdf | |
![]() | S-8003+8ANMP | S-8003+8ANMP SEIKO SMD or Through Hole | S-8003+8ANMP.pdf | |
![]() | CXD103-166R | CXD103-166R SONY QFP64 | CXD103-166R.pdf | |
![]() | TBG6U | TBG6U ORIGINAL TSSOPJW-8 | TBG6U.pdf | |
![]() | MCP1825-5002E/DC | MCP1825-5002E/DC MICROCHIP SOT223-5 | MCP1825-5002E/DC.pdf | |
![]() | RD5.6E(B1) | RD5.6E(B1) NEC SMD or Through Hole | RD5.6E(B1).pdf |