창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3308RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3308RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3308RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-10NH2C | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-10NH2C.pdf | |
![]() | CS4164 | CS4164 CYPRESS DIP | CS4164.pdf | |
![]() | KIA7808P/PI | KIA7808P/PI KIA TO-220 | KIA7808P/PI.pdf | |
![]() | 451-000-222 | 451-000-222 MOLEXINC MOL | 451-000-222.pdf | |
![]() | G2-1A07-TT | G2-1A07-TT CRYDOM DIP SOP6 | G2-1A07-TT.pdf | |
![]() | 8765A | 8765A HP SMA | 8765A.pdf | |
![]() | BC848AWT1 / 1J | BC848AWT1 / 1J MOTOROAL SOT-23 | BC848AWT1 / 1J.pdf | |
![]() | DS7831W-883 | DS7831W-883 NATIONAL SMD or Through Hole | DS7831W-883.pdf | |
![]() | AZ8103RA | AZ8103RA ORIGINAL SMD or Through Hole | AZ8103RA.pdf | |
![]() | UPD306C | UPD306C NEC DIP-16 | UPD306C.pdf | |
![]() | UPA672T-E1-A | UPA672T-E1-A NEC SOT-363 | UPA672T-E1-A.pdf | |
![]() | S3C6400X63-YB80 | S3C6400X63-YB80 SamsungSemicondu SMD or Through Hole | S3C6400X63-YB80.pdf |