창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3307A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 5.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3307A | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3307A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MBA02040C3003FRP00 | RES 300K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3003FRP00.pdf | |
![]() | KRC110S/NK | KRC110S/NK KEC SOT-23 | KRC110S/NK.pdf | |
![]() | DS90UR905QSQE | DS90UR905QSQE TINS SQA48A | DS90UR905QSQE.pdf | |
![]() | TMSC6701GJC167-1.9v | TMSC6701GJC167-1.9v TI BGA | TMSC6701GJC167-1.9v.pdf | |
![]() | LTC3642EDD-3.3#PBF | LTC3642EDD-3.3#PBF LT DFN | LTC3642EDD-3.3#PBF.pdf | |
![]() | HS78P447S | HS78P447S ELAN SOP28 | HS78P447S.pdf | |
![]() | GLBC02A4J | GLBC02A4J Honeywell SMD or Through Hole | GLBC02A4J.pdf | |
![]() | S71NS064JA0BFW21 | S71NS064JA0BFW21 SPANSION BGA | S71NS064JA0BFW21.pdf | |
![]() | BMB2B0600M4N2 | BMB2B0600M4N2 type SMD | BMB2B0600M4N2.pdf | |
![]() | T2SJ | T2SJ N/A SMD or Through Hole | T2SJ.pdf | |
![]() | BStN4766F | BStN4766F SIEMENS SMD or Through Hole | BStN4766F.pdf | |
![]() | M5M418165-BTP/CTP/DTP-6 | M5M418165-BTP/CTP/DTP-6 MEMORY SMD | M5M418165-BTP/CTP/DTP-6.pdf |