창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3214R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3212 thru 1N3214R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 15A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 15A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 1242-1003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3214R | |
관련 링크 | 1N32, 1N3214R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1825Y224JBBAT4X | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y224JBBAT4X.pdf | |
![]() | 445A32L30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32L30M00000.pdf | |
![]() | RUT3216FR330CS | RES SMD 0.33 OHM 1% 1/3W 1206 | RUT3216FR330CS.pdf | |
![]() | CW010R1200JE12HS | RES 0.12 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R1200JE12HS.pdf | |
![]() | 67WR50K | 67WR50K ORIGINAL SMD or Through Hole | 67WR50K.pdf | |
![]() | S2A-L-TP | S2A-L-TP MCC DO-214AA | S2A-L-TP.pdf | |
![]() | HZ22-3TD | HZ22-3TD RENESAS DO35 | HZ22-3TD.pdf | |
![]() | AMAN542012PT05 | AMAN542012PT05 AMOTTECH SMD | AMAN542012PT05.pdf | |
![]() | RTD2558D | RTD2558D REALTEK SMD or Through Hole | RTD2558D.pdf | |
![]() | DASA1N6392 | DASA1N6392 MSC NO | DASA1N6392.pdf | |
![]() | SA5250EC,557 | SA5250EC,557 NXP SA5250EC LFBGA208 TR | SA5250EC,557.pdf | |
![]() | GRM40B333K50C550 | GRM40B333K50C550 MURATA SMD or Through Hole | GRM40B333K50C550.pdf |