창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3214 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3212 thru 1N3214R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 주요제품 | 1N3214 Silicon Standard Recovery Diode | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 15A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1242-1040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3214 | |
| 관련 링크 | 1N3, 1N3214 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1GEF8661C | RES SMD 8.66K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF8661C.pdf | |
![]() | AT0805CRD07267RL | RES SMD 267 OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD07267RL.pdf | |
![]() | BZY97-C12 1.5 W | BZY97-C12 1.5 W ORIGINAL PB | BZY97-C12 1.5 W.pdf | |
![]() | CS8813G | CS8813G MYSON QFP | CS8813G.pdf | |
![]() | LP62S1024BM-55LLT | LP62S1024BM-55LLT AMIC SOP32 | LP62S1024BM-55LLT.pdf | |
![]() | BC639 DZ | BC639 DZ FAIRCHILD TO-92 | BC639 DZ.pdf | |
![]() | 293D226X9006B2TE3 | 293D226X9006B2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D226X9006B2TE3.pdf | |
![]() | 50IDC-MG | 50IDC-MG ORIGINAL SMD or Through Hole | 50IDC-MG.pdf | |
![]() | H11A617D3SD | H11A617D3SD Fairchi SMD or Through Hole | H11A617D3SD.pdf | |
![]() | MD8086-1/B | MD8086-1/B INTEL DIP | MD8086-1/B.pdf | |
![]() | 1206 510K F | 1206 510K F TASUND SMD or Through Hole | 1206 510K F.pdf | |
![]() | 15701A | 15701A ELMOS SOP16 | 15701A.pdf |