창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3209R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3208~3211R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 15A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1N3209RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3209R | |
| 관련 링크 | 1N32, 1N3209R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 228CKS035M | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 121 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 228CKS035M.pdf | |
![]() | C901U270JUSDCAWL35 | 27pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U270JUSDCAWL35.pdf | |
![]() | VJ0603D1R8BXCAJ | 1.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8BXCAJ.pdf | |
![]() | SR202C103JAATR1 | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR202C103JAATR1.pdf | |
![]() | C917U520JZSDCAWL35 | 52pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U520JZSDCAWL35.pdf | |
![]() | FRS-R-200 | FUSE TRON DUAL ELEMENT FUSE CLAS | FRS-R-200.pdf | |
![]() | 6R6D30A-050BHX-01 | 6R6D30A-050BHX-01 FUJI SMD or Through Hole | 6R6D30A-050BHX-01.pdf | |
![]() | DST310-55Y5S222M100 | DST310-55Y5S222M100 muRata SMD or Through Hole | DST310-55Y5S222M100.pdf | |
![]() | TMS320TCI110GPJC | TMS320TCI110GPJC TI BGA | TMS320TCI110GPJC.pdf | |
![]() | EGB2555VA1 | EGB2555VA1 ORIGINAL SMD or Through Hole | EGB2555VA1.pdf | |
![]() | FHW0805UCR33JGT | FHW0805UCR33JGT ORIGINAL SMD or Through Hole | FHW0805UCR33JGT.pdf |