창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3208 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3208~3211R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 -평균 정류(Io) | 15A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 15A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 1N3208GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3208 | |
관련 링크 | 1N3, 1N3208 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ESMH451VNN271MA35T | 270µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 921 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH451VNN271MA35T.pdf | |
![]() | VJ0603D1R5CXBAJ | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R5CXBAJ.pdf | |
![]() | 6100-101K-RC | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 1.98A 160 mOhm Max Radial | 6100-101K-RC.pdf | |
![]() | 1008-272K | 2.7µH Unshielded Inductor 413mA 880 mOhm Max Nonstandard | 1008-272K.pdf | |
![]() | 06C3-103G | 06C3-103G DALE ZIP-8 | 06C3-103G.pdf | |
![]() | AD9058ATJ/883B1 | AD9058ATJ/883B1 AD PLCC | AD9058ATJ/883B1.pdf | |
![]() | AM27H010-55JC | AM27H010-55JC AMD SMD or Through Hole | AM27H010-55JC.pdf | |
![]() | G2-DA03 | G2-DA03 CRYDOM DIPSOP | G2-DA03.pdf | |
![]() | AG722-00214 | AG722-00214 AMPHENOL SMD or Through Hole | AG722-00214.pdf | |
![]() | MFI514S0117 | MFI514S0117 N/A IPOD | MFI514S0117.pdf | |
![]() | OT411.127 | OT411.127 NXPsemiconductors SMD or Through Hole | OT411.127.pdf | |
![]() | TSUM56AWL-LF | TSUM56AWL-LF MSTAR QFP | TSUM56AWL-LF.pdf |