창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3032BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3016BUR-1 - 1N3045BUR-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 25.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3032BUR-1 | |
관련 링크 | 1N3032, 1N3032BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D3R9BXXAC | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R9BXXAC.pdf | |
![]() | 416F40025ALR | 40MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40025ALR.pdf | |
![]() | SPD125-333M | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 95 mOhm Max Nonstandard | SPD125-333M.pdf | |
![]() | C1447RJL | RES 47.0 OHM 14W 5% AXIAL | C1447RJL.pdf | |
![]() | P5233 | P5233 ETAL SMD or Through Hole | P5233.pdf | |
![]() | F-SGV1/5 | F-SGV1/5 N/A SMD or Through Hole | F-SGV1/5.pdf | |
![]() | PTZ3.9A | PTZ3.9A ROHM SOD-106 | PTZ3.9A.pdf | |
![]() | SST39VF200A-70-4C | SST39VF200A-70-4C SST WFBGA48 | SST39VF200A-70-4C.pdf | |
![]() | TLC339CNS | TLC339CNS TI SMD | TLC339CNS.pdf | |
![]() | KSE13007H3SM | KSE13007H3SM Fairchild SMD or Through Hole | KSE13007H3SM.pdf | |
![]() | IPOOC791 | IPOOC791 I-CHIPS SMD or Through Hole | IPOOC791.pdf | |
![]() | 125-1111-403 | 125-1111-403 DLT SMD or Through Hole | 125-1111-403.pdf |