창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3022B-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3016B-1-1N3045B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3022B-1 | |
관련 링크 | 1N302, 1N3022B-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001BI2-133.3330 | 133.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001BI2-133.3330.pdf | |
![]() | DR127-102-R | 1mH Shielded Wirewound Inductor 610mA 1.66 Ohm Nonstandard | DR127-102-R.pdf | |
![]() | ALSR053K900FE12 | RES 3.9K OHM 5W 1% AXIAL | ALSR053K900FE12.pdf | |
![]() | 7208L20JG8 | 7208L20JG8 IDT SMD or Through Hole | 7208L20JG8.pdf | |
![]() | MT55L128L18F1T-12 | MT55L128L18F1T-12 MICRON TQFP | MT55L128L18F1T-12.pdf | |
![]() | PTS753 | PTS753 REALTEK DIP | PTS753.pdf | |
![]() | CS5503-ASZ | CS5503-ASZ CRYSTAL SOP20 | CS5503-ASZ.pdf | |
![]() | ST6118R | ST6118R VALORIC SMD or Through Hole | ST6118R.pdf | |
![]() | ADM1175-2ARMZ-R7 | ADM1175-2ARMZ-R7 AD MSOP-10 | ADM1175-2ARMZ-R7.pdf | |
![]() | RLZ9.1C | RLZ9.1C ROHM SOD80 | RLZ9.1C.pdf | |
![]() | 10JZV1000M10X10.5 | 10JZV1000M10X10.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 10JZV1000M10X10.5.pdf | |
![]() | 74V1G79C | 74V1G79C ST SOT-353 | 74V1G79C.pdf |