창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3016B-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3016B-1-1N3045B-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 5.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3016B-1 | |
| 관련 링크 | 1N301, 1N3016B-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 06033A100CAT2A | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A100CAT2A.pdf | |
![]() | CDV30FF123GO3 | MICA | CDV30FF123GO3.pdf | |
![]() | ISC1812RQ102J | 1mH Shielded Wirewound Inductor 66mA 16 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ102J.pdf | |
![]() | 4590-823K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 3.175A 66 mOhm Max Axial | 4590-823K.pdf | |
![]() | 205M | 205M TDK SMD0805 | 205M.pdf | |
![]() | G800MR306018EU | G800MR306018EU AmphenolCorp SMD or Through Hole | G800MR306018EU.pdf | |
![]() | UPD67AMC-222-5A4-E1 | UPD67AMC-222-5A4-E1 NEC SOP | UPD67AMC-222-5A4-E1.pdf | |
![]() | SLM-125MCS | SLM-125MCS ROHM SMD | SLM-125MCS.pdf | |
![]() | KM41C16000CS-6 | KM41C16000CS-6 SAMSUNG ORIGINAL | KM41C16000CS-6.pdf | |
![]() | 636L3CO 25.00000MHZ | 636L3CO 25.00000MHZ ORIGINAL SMD | 636L3CO 25.00000MHZ.pdf | |
![]() | UPD75P108G-1B. | UPD75P108G-1B. NEC SMD or Through Hole | UPD75P108G-1B..pdf |