창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3014RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 260옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 136.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3014RB | |
| 관련 링크 | 1N30, 1N3014RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | MBRB20100CT-TP | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK | MBRB20100CT-TP.pdf | |
| SI7852ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | SI7852ADP-T1-GE3.pdf | ||
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![]() | PZU3.0BA | PZU3.0BA NXP SOD-323 | PZU3.0BA.pdf | |
![]() | B5081A2KFBG P12 | B5081A2KFBG P12 BROADCOM BGA | B5081A2KFBG P12.pdf | |
![]() | BL8531 | BL8531 BELLING SMD or Through Hole | BL8531.pdf | |
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![]() | DG509BEJ-E3 | DG509BEJ-E3 VISHAY SMD or Through Hole | DG509BEJ-E3.pdf | |
![]() | MB89125APFM-G369-BND | MB89125APFM-G369-BND FUJITSU QFP | MB89125APFM-G369-BND.pdf | |
![]() | MAX3296CGI-T | MAX3296CGI-T MAX QFN-28 | MAX3296CGI-T.pdf | |
![]() | XC7372TM-10 | XC7372TM-10 XILINX PLCC | XC7372TM-10.pdf |