창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3013B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 220V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 135V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3013B | |
관련 링크 | 1N30, 1N3013B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
402F32012IDR | 32MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F32012IDR.pdf | ||
ST101A-F | ST101A-F EXAR SMD or Through Hole | ST101A-F.pdf | ||
SC14402CVJG | SC14402CVJG NS QFP | SC14402CVJG.pdf | ||
SD183R3 | SD183R3 COO COIL | SD183R3.pdf | ||
SGCESD JX1N6101 | SGCESD JX1N6101 SG DIP16 | SGCESD JX1N6101.pdf | ||
R3130N26EC3-TR | R3130N26EC3-TR RICOH SOT23-5 | R3130N26EC3-TR.pdf | ||
LE79R79A | LE79R79A LEGERITY QFN | LE79R79A.pdf | ||
0402 301 J 25V | 0402 301 J 25V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402 301 J 25V.pdf | ||
816-1632-419 | 816-1632-419 ORIGINAL NA | 816-1632-419.pdf | ||
HY57V653220BATC55 | HY57V653220BATC55 HYNIX TSOP | HY57V653220BATC55.pdf | ||
MTZT-777.5B(1N5236) | MTZT-777.5B(1N5236) ROHM DIODE | MTZT-777.5B(1N5236).pdf | ||
901560143 | 901560143 MOLEX SMD or Through Hole | 901560143.pdf |