창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3011RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 175옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3011RB | |
| 관련 링크 | 1N30, 1N3011RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ISC1812ES3R9J | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 344mA 590 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES3R9J.pdf | |
![]() | S1812-224K | 220µH Shielded Inductor 149mA 9 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-224K.pdf | |
![]() | PAT0805E5832BST1 | RES SMD 58.3K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E5832BST1.pdf | |
![]() | CW010R6800JE73HS | RES 0.68 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R6800JE73HS.pdf | |
![]() | INA115DU | INA115DU ORIGINAL SMD or Through Hole | INA115DU.pdf | |
![]() | 2SK3469-01M | 2SK3469-01M TO- FUJI | 2SK3469-01M.pdf | |
![]() | D65841GC-047 | D65841GC-047 NEC QFP | D65841GC-047.pdf | |
![]() | 2316S-26G-F1 | 2316S-26G-F1 ORIGINAL ROHS | 2316S-26G-F1.pdf | |
![]() | ETHER-1156/1157-1.5W | ETHER-1156/1157-1.5W ETHER() SMD or Through Hole | ETHER-1156/1157-1.5W.pdf | |
![]() | 15B23 | 15B23 ORIGINAL TSSOP-20 | 15B23.pdf | |
![]() | 22-05-3091 | 22-05-3091 MOLEXINC MOL | 22-05-3091.pdf | |
![]() | EKMH401VRD331MA35S | EKMH401VRD331MA35S NIPPONCHEMI-CON SMD or Through Hole | EKMH401VRD331MA35S.pdf |