창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3010B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3010B | |
| 관련 링크 | 1N30, 1N3010B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-A1BF1R8U | RES SMD 1.8 OHM 1.33W 2512 WIDE | ERJ-A1BF1R8U.pdf | |
![]() | PXA901B3C312 SL8RF | PXA901B3C312 SL8RF INTEL BGA | PXA901B3C312 SL8RF.pdf | |
![]() | 1MAE61743AMF | 1MAE61743AMF MAJOR SMD or Through Hole | 1MAE61743AMF.pdf | |
![]() | NCP1400ASN45T1 | NCP1400ASN45T1 ON SMD or Through Hole | NCP1400ASN45T1.pdf | |
![]() | MBGM01PBS-ME1 | MBGM01PBS-ME1 FUJITS QFN | MBGM01PBS-ME1.pdf | |
![]() | LA9098 | LA9098 LSI BGA | LA9098.pdf | |
![]() | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B Micron BGA | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B.pdf | |
![]() | MTZH-SCE-1-2L | MTZH-SCE-1-2L RAYC SMD or Through Hole | MTZH-SCE-1-2L.pdf | |
![]() | CXA3554R | CXA3554R SONY QFP | CXA3554R.pdf | |
![]() | 17.664MHZ 3225 | 17.664MHZ 3225 NDK 3225 | 17.664MHZ 3225.pdf | |
![]() | SL1925AN | SL1925AN ZARLINK SOP28 | SL1925AN.pdf |