창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3009RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 98.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3009RB | |
| 관련 링크 | 1N30, 1N3009RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| IHD3EB472L | 4.7mH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 3.79 Ohm Max Axial | IHD3EB472L.pdf | ||
![]() | RCS040239K0JNED | RES SMD 39K OHM 5% 1/5W 0402 | RCS040239K0JNED.pdf | |
![]() | 275VAC0.047UF 473K | 275VAC0.047UF 473K TC SMD or Through Hole | 275VAC0.047UF 473K.pdf | |
![]() | MX506LG | MX506LG CML SMD or Through Hole | MX506LG.pdf | |
![]() | LTC5546EUF#TRPBF | LTC5546EUF#TRPBF LINEAR QFN | LTC5546EUF#TRPBF.pdf | |
![]() | LA11668 | LA11668 SANYO SOP10 | LA11668.pdf | |
![]() | T7NV5D1-09 | T7NV5D1-09 ORIGINAL DIP | T7NV5D1-09.pdf | |
![]() | IDT7203SA100J | IDT7203SA100J IDT PLCC | IDT7203SA100J.pdf | |
![]() | JCS1HN60T | JCS1HN60T ORIGINAL TO-92 | JCS1HN60T.pdf | |
![]() | MLV0805NA056V0080T | MLV0805NA056V0080T AEM SMD | MLV0805NA056V0080T.pdf | |
![]() | K9F4G08U0D-SCB | K9F4G08U0D-SCB Samsung SMD or Through Hole | K9F4G08U0D-SCB.pdf |