창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3002RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3002RB | |
관련 링크 | 1N30, 1N3002RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-83-25E-47.000000Y | OSC XO 2.5V 47MHZ OE | SIT8008BI-83-25E-47.000000Y.pdf | |
![]() | ISC1812ES220J | 22µH Shielded Wirewound Inductor 227mA 1.36 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES220J.pdf | |
![]() | 1AV4L51B3440G | 1AV4L51B3440G TOKO SMD | 1AV4L51B3440G.pdf | |
![]() | 2SK3565(STA4,Q,M) | 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3565(STA4,Q,M).pdf | |
![]() | ISL83074EIB | ISL83074EIB INTERSIL SOP8 | ISL83074EIB.pdf | |
![]() | SBL20150CT | SBL20150CT LT TO-220 | SBL20150CT.pdf | |
![]() | K9K8G08U0APCB0000 | K9K8G08U0APCB0000 SAMSUNG Tube 96 | K9K8G08U0APCB0000.pdf | |
![]() | 2SA1480D | 2SA1480D SANYO TO-126 | 2SA1480D.pdf | |
![]() | SP331CT-L | SP331CT-L SIPEX SOP-28 | SP331CT-L.pdf | |
![]() | 39V040FCPZ | 39V040FCPZ WINBOND PLCC | 39V040FCPZ.pdf | |
![]() | FDU2N90 | FDU2N90 ORIGINAL TO-252 | FDU2N90.pdf | |
![]() | FWIXP421AB | FWIXP421AB INTEL BGA | FWIXP421AB.pdf |