창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2999RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 42.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2999RB | |
관련 링크 | 1N29, 1N2999RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | PXAC261212FCV1XWSA1 | IC AMP RF LDMOS | PXAC261212FCV1XWSA1.pdf | |
![]() | RG1005P-4990-B-T5 | RES SMD 499 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-4990-B-T5.pdf | |
![]() | P51-1500-A-L-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-L-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | PC357N2T.BJ00F | PC357N2T.BJ00F SHARP SMD or Through Hole | PC357N2T.BJ00F.pdf | |
![]() | TPI08054990D | TPI08054990D TDK QFP | TPI08054990D.pdf | |
![]() | GP323LES2816 | GP323LES2816 ZILOG SOP28 | GP323LES2816.pdf | |
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![]() | FDC6306P NOPB | FDC6306P NOPB FAIRCHILD SOT23-6 | FDC6306P NOPB.pdf | |
![]() | SBRC175-1645WP | SBRC175-1645WP ONSEMI SMD or Through Hole | SBRC175-1645WP.pdf | |
![]() | EKMG401EBC220MK25S | EKMG401EBC220MK25S ORIGINAL DIP | EKMG401EBC220MK25S.pdf | |
![]() | SMP10AY | SMP10AY ADI CDIP14 | SMP10AY.pdf | |
![]() | CL31B334KOCNNNL | CL31B334KOCNNNL SAMSUNG SMD | CL31B334KOCNNNL.pdf |