창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2995B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 35.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2995B | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2995B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D150GXCAP | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D150GXCAP.pdf | |
![]() | Y17465K90000A4L | RES SMD 5.9K OHM 0.6W J LEAD | Y17465K90000A4L.pdf | |
![]() | AQV253GA | AQV253GA NAIS DIP SOP | AQV253GA.pdf | |
![]() | 2SC2037 #T | 2SC2037 #T ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC2037 #T.pdf | |
![]() | TPS62002DGSRG4 | TPS62002DGSRG4 TI MSOP10 | TPS62002DGSRG4.pdf | |
![]() | MC603EFE-120 | MC603EFE-120 MOTO QFP | MC603EFE-120.pdf | |
![]() | ADDAC71-COB-1 | ADDAC71-COB-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ADDAC71-COB-1.pdf | |
![]() | RM02FTN27R0 | RM02FTN27R0 TA-I SMD or Through Hole | RM02FTN27R0.pdf | |
![]() | SH-119-C-I | SH-119-C-I ORIGINAL DIP-32 | SH-119-C-I.pdf | |
![]() | TMP87C46N-3CFO | TMP87C46N-3CFO ORIGINAL TO92 | TMP87C46N-3CFO.pdf | |
![]() | HB56G25636B-7A | HB56G25636B-7A HITACHI SMD or Through Hole | HB56G25636B-7A.pdf |