창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2987B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 18.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2987B | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2987B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 606PHB250K2R | 60µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | 606PHB250K2R.pdf | |
![]() | MBR4080PTE3/TU | DIODE SCHOTTKY 40A 80V TO-247AD | MBR4080PTE3/TU.pdf | |
| 782013150285 | Solid Free Hanging Ferrite Core 190 Ohm @ 100MHz ID 0.610" Dia (15.50mm) OD 1.024" Dia (26.00mm) Length 1.122" (28.50mm) | 782013150285.pdf | ||
![]() | 35221M2JT | RES SMD 1.2M OHM 5% 3W 2512 | 35221M2JT.pdf | |
![]() | SSCDAND160MGAA5 | Pressure Sensor 2.32 PSI (16 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | SSCDAND160MGAA5.pdf | |
![]() | VVP3105 | VVP3105 ORIGINAL QFN10 | VVP3105.pdf | |
![]() | NCP1117DT18G | NCP1117DT18G ONSEMICONDUCTOR NCP1117Series1.8V | NCP1117DT18G.pdf | |
![]() | FDD3510 | FDD3510 FSC TO-252 | FDD3510.pdf | |
![]() | TEA1400 | TEA1400 PHI DIP-16P | TEA1400.pdf | |
![]() | TMZ-3HS-U-LF | TMZ-3HS-U-LF FUJI SMD or Through Hole | TMZ-3HS-U-LF.pdf | |
![]() | US1G T/R | US1G T/R PANJIT SMA. | US1G T/R.pdf | |
![]() | HC4067BT | HC4067BT ORIGINAL SMD | HC4067BT.pdf |