창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2985RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 16.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2985RB | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2985RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ESD31C682K4T2A-18 | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ESD31C682K4T2A-18.pdf | |
![]() | BY253GP-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | BY253GP-E3/54.pdf | |
![]() | SRN4018-3R3M | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 66 mOhm Max Nonstandard | SRN4018-3R3M.pdf | |
![]() | 3DD2102 | 3DD2102 HJ TO-3P | 3DD2102 .pdf | |
![]() | SGD105A | SGD105A IWAKI NA | SGD105A.pdf | |
![]() | 196A(SC196AMLTRT) | 196A(SC196AMLTRT) SFMTECH DFN-10 | 196A(SC196AMLTRT).pdf | |
![]() | 1/2 5V1 T/B | 1/2 5V1 T/B ST SMD or Through Hole | 1/2 5V1 T/B.pdf | |
![]() | MC3225T-4R7M 4R7-3225 | MC3225T-4R7M 4R7-3225 TAIYO SMD or Through Hole | MC3225T-4R7M 4R7-3225.pdf | |
![]() | ADP1870ARMZ-0.3-R7 | ADP1870ARMZ-0.3-R7 ADI SMD or Through Hole | ADP1870ARMZ-0.3-R7.pdf | |
![]() | LT1317BCS8#TR | LT1317BCS8#TR LINEAR SOP8 | LT1317BCS8#TR.pdf | |
![]() | PI-2A532S3 | PI-2A532S3 PHOTKON N A | PI-2A532S3.pdf |