창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2985A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 16.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2985A | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2985A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CL31B104KDHNFNE | 0.10µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B104KDHNFNE.pdf | |
![]() | 1808CC103KATBE | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CC103KATBE.pdf | |
![]() | CW1008-1ROK | CW1008-1ROK CHIP SMD | CW1008-1ROK.pdf | |
![]() | KA2206B 6V/9V/12 | KA2206B 6V/9V/12 SAMSUNG DIP-12 | KA2206B 6V/9V/12.pdf | |
![]() | MB81256-80PV | MB81256-80PV ORIGINAL PLCC | MB81256-80PV.pdf | |
![]() | DS55110AJ/883 | DS55110AJ/883 NSC SMD or Through Hole | DS55110AJ/883.pdf | |
![]() | FEP30JP/45 | FEP30JP/45 VISHAY TO-3P | FEP30JP/45.pdf | |
![]() | D151811-0360 | D151811-0360 D DIP-28 | D151811-0360.pdf | |
![]() | JUS01 01 5M61-12-E913 | JUS01 01 5M61-12-E913 NEC SOP3-32 | JUS01 01 5M61-12-E913.pdf | |
![]() | SXA1055386 | SXA1055386 ORIGINAL SMD or Through Hole | SXA1055386.pdf | |
![]() | JAN2N1711S | JAN2N1711S RAYTHEON SMD or Through Hole | JAN2N1711S.pdf | |
![]() | OSRAM-EMG-220V500W | OSRAM-EMG-220V500W OSRAM SMD or Through Hole | OSRAM-EMG-220V500W.pdf |