창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2982RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2982RB | |
| 관련 링크 | 1N29, 1N2982RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| FG26C0G2J272JNT06 | 2700pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FG26C0G2J272JNT06.pdf | ||
![]() | ECJ-0EB1E471K | 470pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EB1E471K.pdf | |
![]() | KMQ100VB33RM8X11LL | KMQ100VB33RM8X11LL NIPPON SMD or Through Hole | KMQ100VB33RM8X11LL.pdf | |
![]() | RL2Z-V | RL2Z-V Sanken N A | RL2Z-V.pdf | |
![]() | CMD115S0002-A | CMD115S0002-A SOP CMD | CMD115S0002-A.pdf | |
![]() | CSM11206AM | CSM11206AM TI DIP | CSM11206AM.pdf | |
![]() | TPS3306-25D | TPS3306-25D TI SOIC | TPS3306-25D.pdf | |
![]() | HX1126NLT | HX1126NLT PULSE SMD or Through Hole | HX1126NLT.pdf | |
![]() | HD74ACT245FP | HD74ACT245FP HITACHI SOP20 | HD74ACT245FP.pdf | |
![]() | PVT312P | PVT312P IOR DIP6 | PVT312P.pdf | |
![]() | NX3V1T66GW,125 | NX3V1T66GW,125 NXP SOT353 | NX3V1T66GW,125.pdf | |
![]() | T1/1206 | T1/1206 TOSHIBA SOD-123 | T1/1206.pdf |