창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2981B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 17V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2981B | |
관련 링크 | 1N29, 1N2981B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F27035AAR | 27MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27035AAR.pdf | ||
Y00623K01000B0L | RES 3.01K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00623K01000B0L.pdf | ||
RF212X3P | RF212X3P CONEXANT TSSOP | RF212X3P.pdf | ||
46LYUEE | 46LYUEE NOKIA BGA | 46LYUEE.pdf | ||
216MOSASSA27 | 216MOSASSA27 ATI BGA | 216MOSASSA27.pdf | ||
1776900-1 | 1776900-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1776900-1.pdf | ||
75I980BGPH | 75I980BGPH TI BGA | 75I980BGPH.pdf | ||
237FG | 237FG TOSHIBA QFP | 237FG.pdf | ||
SCKB | SCKB ORIGINAL SOT23-5 | SCKB.pdf | ||
LKS2A102MESA | LKS2A102MESA nichicon SMD or Through Hole | LKS2A102MESA.pdf |