창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2976RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2976RB | |
관련 링크 | 1N29, 1N2976RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 0603CG4R7C500NT | 0603CG4R7C500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603CG4R7C500NT.pdf | |
![]() | W588S1008600 | W588S1008600 WINB SMD or Through Hole | W588S1008600.pdf | |
![]() | X4045S8I2.7A | X4045S8I2.7A Intersil 8-SO | X4045S8I2.7A.pdf | |
![]() | FW349 | FW349 SAYOU SOP | FW349.pdf | |
![]() | NJW1103F | NJW1103F JRC QFP | NJW1103F.pdf | |
![]() | ULNL2003AN | ULNL2003AN TOSCN DIP16 | ULNL2003AN.pdf | |
![]() | CR1210-2002JTR | CR1210-2002JTR YAG SMD or Through Hole | CR1210-2002JTR.pdf | |
![]() | MDP1601-682G | MDP1601-682G ORIGINAL DIP | MDP1601-682G.pdf | |
![]() | PEB3320HL V1.4 | PEB3320HL V1.4 INFINEON TQFP | PEB3320HL V1.4.pdf | |
![]() | LB1965ML-NMB-TLM3-E | LB1965ML-NMB-TLM3-E SANYO SOP14 | LB1965ML-NMB-TLM3-E.pdf | |
![]() | M24C32MN6 | M24C32MN6 ST SOP8 | M24C32MN6.pdf | |
![]() | SN65LVDS9638DGN(L38) | SN65LVDS9638DGN(L38) TI MSOP | SN65LVDS9638DGN(L38).pdf |