창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2970A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 5.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2970A | |
관련 링크 | 1N29, 1N2970A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SMB8J8.5CAHE3/5B | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMB | SMB8J8.5CAHE3/5B.pdf | |
![]() | LF200 | LF200 Infineon BGA | LF200.pdf | |
![]() | E212I | E212I Micropower SIP | E212I.pdf | |
![]() | AD1876N | AD1876N AD SMD or Through Hole | AD1876N.pdf | |
![]() | F2M03MLA-S01-R1A | F2M03MLA-S01-R1A FreeMove SMD or Through Hole | F2M03MLA-S01-R1A.pdf | |
![]() | QS5V993-2QC | QS5V993-2QC QS SMD or Through Hole | QS5V993-2QC.pdf | |
![]() | BC857BT115 | BC857BT115 NXP SMD DIP | BC857BT115.pdf | |
![]() | 788796-1 | 788796-1 NA NA | 788796-1.pdf | |
![]() | UPD70F3261YGC-8EA- | UPD70F3261YGC-8EA- NEC QFP | UPD70F3261YGC-8EA-.pdf | |
![]() | OV0528 | OV0528 ORIGINAL SMD or Through Hole | OV0528.pdf | |
![]() | 1658622-2 | 1658622-2 Tyco con | 1658622-2.pdf | |
![]() | 54F14 | 54F14 ORIGINAL DIP | 54F14.pdf |