창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2840RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2840RB | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2840RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-0402-8N2J-T | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 680mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AISC-0402-8N2J-T.pdf | |
![]() | MS4800WS-0240 | WELD SHIELD COVER | MS4800WS-0240.pdf | |
![]() | 5160MEUA | 5160MEUA MAX MSOP-8 | 5160MEUA.pdf | |
![]() | SVM7973C0H | SVM7973C0H EPSON DIP18 | SVM7973C0H.pdf | |
![]() | ED46 | ED46 MOT MSOP8 | ED46.pdf | |
![]() | LA71001 | LA71001 ORIGINAL QFP | LA71001.pdf | |
![]() | NAND16GW3C4BN6E | NAND16GW3C4BN6E ST SMD or Through Hole | NAND16GW3C4BN6E.pdf | |
![]() | M54545L | M54545L MITSUBISHI IC | M54545L.pdf | |
![]() | 4916985-00 | 4916985-00 ON/MOT CDIP16 | 4916985-00.pdf | |
![]() | 49/S 19.6608MHz | 49/S 19.6608MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | 49/S 19.6608MHz.pdf | |
![]() | MA2HD07 | MA2HD07 Panasonic SOD-106 | MA2HD07.pdf | |
![]() | SKKH131/08E-2 | SKKH131/08E-2 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH131/08E-2.pdf |