창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2840B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2840B | |
관련 링크 | 1N28, 1N2840B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
893D335X9050C2TE3 | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 2.4 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 893D335X9050C2TE3.pdf | ||
416F360X3IAT | 36MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3IAT.pdf | ||
RNCS1206BKE11K3 | RES SMD 11.3K OHM 0.1% 1/8W 1206 | RNCS1206BKE11K3.pdf | ||
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WSLT2010R0200FEK18 | WSLT2010R0200FEK18 DLE SMD or Through Hole | WSLT2010R0200FEK18.pdf |