창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2840B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2840B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2840B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37011CKT | 37MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37011CKT.pdf | |
![]() | SP1210-122G | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.14A 160 mOhm Max Nonstandard | SP1210-122G.pdf | |
![]() | RT0603CRE073K9L | RES SMD 3.9KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE073K9L.pdf | |
![]() | YC102-JR-070RL | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0302 | YC102-JR-070RL.pdf | |
![]() | HM6216255CJP-10 | HM6216255CJP-10 HITACHI SMD or Through Hole | HM6216255CJP-10.pdf | |
![]() | S636DK | S636DK PHILIPS SSOP20 | S636DK.pdf | |
![]() | M80056B-1 | M80056B-1 YH SMD or Through Hole | M80056B-1.pdf | |
![]() | 65800001109 | 65800001109 ORIGINAL SMD or Through Hole | 65800001109.pdf | |
![]() | RV24YN20S-B501 | RV24YN20S-B501 TOCOS SMD or Through Hole | RV24YN20S-B501.pdf | |
![]() | P1021PSE5BFQYA | P1021PSE5BFQYA FREFSCAIE BGA-561D | P1021PSE5BFQYA.pdf | |
![]() | IP3R19K-05 | IP3R19K-05 SEAGATEMICROELECTRONICSLTD SMD or Through Hole | IP3R19K-05.pdf |