창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2836B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2836B | |
관련 링크 | 1N28, 1N2836B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D0R7BXBAJ | 0.70pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7BXBAJ.pdf | |
![]() | 416F27035ISR | 27MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27035ISR.pdf | |
![]() | SIT1602BIA23-33E-10.00000E | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT1602BIA23-33E-10.00000E.pdf | |
![]() | AME41BEETZ | AME41BEETZ AME SOT-23 | AME41BEETZ.pdf | |
![]() | T322C226M010AS | T322C226M010AS KEMET SMD or Through Hole | T322C226M010AS.pdf | |
![]() | RJ116P6C | RJ116P6C KWD SMD or Through Hole | RJ116P6C.pdf | |
![]() | 100NF50VZ5UM | 100NF50VZ5UM AVX 1206 | 100NF50VZ5UM.pdf | |
![]() | NR-SL-3V | NR-SL-3V NAIS RELAY | NR-SL-3V.pdf | |
![]() | 101R14N220JV4T | 101R14N220JV4T ORIGINAL SMD or Through Hole | 101R14N220JV4T.pdf | |
![]() | NS1E685M05007 | NS1E685M05007 SAMWHA SMD or Through Hole | NS1E685M05007.pdf | |
![]() | ST63E70 | ST63E70 ST DIP-42 | ST63E70.pdf | |
![]() | PGA112AIDGSTG4 | PGA112AIDGSTG4 TI MSOP | PGA112AIDGSTG4.pdf |