창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2836B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2836B | |
관련 링크 | 1N28, 1N2836B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ISC1812RQ8R2K | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 292mA 820 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ8R2K.pdf | |
![]() | MCR50JZHFL3R60 | RES SMD 3.6 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHFL3R60.pdf | |
![]() | HRG3216Q-11R8-D-T1 | RES SMD 11.8 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216Q-11R8-D-T1.pdf | |
![]() | 7704V | 7704V ORIGINAL TSSOP | 7704V.pdf | |
![]() | PT4101C23E | PT4101C23E PT SOT-23-6 | PT4101C23E.pdf | |
![]() | SI1904EDC-T1 | SI1904EDC-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SI1904EDC-T1.pdf | |
![]() | SPM0103A | SPM0103A SANYO SMD or Through Hole | SPM0103A.pdf | |
![]() | 519-SURSYGW/S530-A3 | 519-SURSYGW/S530-A3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 519-SURSYGW/S530-A3.pdf | |
![]() | AP60N03 | AP60N03 AP TO-263 | AP60N03.pdf | |
![]() | ESDA25L TEL:82766440 | ESDA25L TEL:82766440 ST SMD or Through Hole | ESDA25L TEL:82766440.pdf | |
![]() | CSB201209G121Y | CSB201209G121Y ORIGINAL SMD or Through Hole | CSB201209G121Y.pdf | |
![]() | TIC216E,TIC216F,TIC216N,TIC216S | TIC216E,TIC216F,TIC216N,TIC216S ORIGINAL SMD or Through Hole | TIC216E,TIC216F,TIC216N,TIC216S.pdf |